本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。
标准编号：GB/T 40109-2021
标准名称：表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
英文名称：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2021-05-21
实施日期：2021-12-01
标准状态：现行
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
起草人员：马农农、何友琴、陈潇、张鑫、王东雪、李展平
文件大小：374.01KB
文件格式：PDF
文件页数：12页
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发表于 2022-2-16 21:00:24