本标准规定了使用 X 射线辐射仪（光子平均能量约 10keV，最大光子能量不超过100keV）对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。
标准编号：SJ/T 11586-2016
标准名称：半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法
英文名称：l0keV X-ray total dose radiation testing method of semiconductor devices
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2016-01-15
实施日期：2016-06-01
标准状态：现行
文件格式：PDF
文件页数：13页
文件大小：7.24MB
标准全文下载：
SJT 11586-2016.pdf
(7.24 MB)
文档首页截图如下：
 |
声明：
1、内容来自用户上传，仅供会员交流学习，禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除；
2、如涉及侵权问题，请立即告知本站(qbw86@foxmail.com)，本站将及时删除并致以最深的歉意；
发表于 2021-10-27 17:36:46