本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。
本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试，氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。
标准编号：GB/T 41751-2022
标准名称：氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
英文名称：Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2022-10-12
实施日期：2023-02-01
标准状态：现行/即将实施
起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、厦门柯誉尔科技有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司、福建兆元光电有限公司
起草人员：邱永鑫、徐科、王建峰、任国强、李腾坤、左洪波、郑树楠、刘立娜、杨鑫宏、邝光宁、丁崇灯、陈友勇
文件格式：PDF
文件页数：9页
文件大小：1.94MB
标准全文下载：
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发表于 2023-1-9 21:53:00