本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。
本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm～1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。
标准编号：GB/T 42271-2022
标准名称：半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
英文名称：Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2022-12-30
实施日期：2023-04-01
标准状态：现行/即将实施
起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、安徽长飞先进半导体有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所
起草人员：彭同华、佘宗静、王大军、张贺、李素青、王波、杨建、袁松、刘立娜
文件格式：PDF
文件页数：9页
文件大小：1.64MB
标准全文下载：
GBT 42271-2022.pdf
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发表于 2023-2-4 09:14:01