本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。
标准编号：GB/T 43313-2023
标准名称：碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
英文名称：Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2023-11-27
实施日期：2024-06-01
标准状态：现行
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国科学院半导体研究所、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、浙江东尼电子股份有限公司
起草人员：姚康、刘立娜、何烜坤、李素青、马春喜、高飞、张红岩、陆敏、郑红军、房玉龙、芦伟立、丁雄杰、刘薇、李嘉炜、晏阳、钮应喜、杨玉聪、黄树福
文件大小：1.31MB
文件格式：PDF
文件页数：7页
标准全文下载：
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封面截图如下：
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发表于 2023-12-25 22:01:36