GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法

本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

标准编号：GB/T 43493.2-2023
标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
英文名称：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2:Test method for defects using optical inspection
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
标准状态：现行/即将实施
起草单位：河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市恒运昌真空技术有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、厦门普诚科技有限公司
起草人员：芦伟立、房玉龙、李佳、张冉冉、李丽霞、杨青、殷源、刘立娜、张建峰、李振廷、徐晨、宋生、张永强、钮应喜、金向军、毛开礼、丁雄杰、刘薇、周少丰、庄建军、乐卫平、周翔、夏俊杰、陆敏、郑隆结、薛联金
文件大小：10.23MB
文件格式：PDF
文件页数：22页

标准全文下载：
GBT 43493.2-2023.pdf (10.23 MB)

2024-3-20 23:10 上传

点击文件名下载附件

封面截图如下：