本文件规定了导电型4H碳化硅(4H-SiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。
本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。
标准编号：GB/T 43612-2023
标准名称：碳化硅晶体材料缺陷图谱
英文名称：Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
标准状态：现行/即将实施
起草单位：广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司
起草人员：丁雄杰、刘薇、韩景瑞、贺东江、李素青、丁晓民、张红、李焕婷、张红岩、杨昆、李斌、尹浩田、高伟、路亚娟、佘宗静、王阳、钮应喜、晏阳、姚康、金向军、吴殿瑞、李国鹏、张新峰、赵丽丽、张胜涛、夏秋良、李国平
文件大小：14.48MB
文件格式：PDF
文件页数：49页
标准全文下载：
GBT 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱.pdf
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发表于 2024-3-27 20:19:01