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T/CNS 81-2022 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法

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发表于 2024-5-24 16:42:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文件适用于宇航用CCD位移损伤效应辐照试验。

标准编号:T/CNS 81-2022
标准名称:电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法
英文名称:Simulation test method of proton induced displacement damage effects in charge-coupled device
发布部门:中国核学会
发布日期:2022-12-16
实施日期:2023-04-01
标准状态:现行
起草单位:中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团公司第五研究院物资部
起草人员:文林、李豫东、郭旗、周东、何承发、张兴尧、于新、冯婕、王信、张丹、崔帅、李鹏伟
文件大小:451.69KB
文件格式:PDF
文件页数:19页

标准全文下载:
TCNS 81-2022.pdf (451.69 KB)

封面截图如下:
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