本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。
本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的1/100。
标准编号：GB/T 44514-2024
标准名称：微机电系统（MEMS）技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法
英文名称：Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Four-point bending test method for interfacial adhesion energy of layered MEMS materials
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2024-09-29
实施日期：2024-09-29
标准状态：现行
起草单位：北京自动化控制设备研究所、合肥美的电冰箱有限公司、中机生产力促进中心有限公司、北京晨晶电子有限公司、山东中康国创先进印染技术研究院有限公司、苏州大学、西安交通大学、中国科学院空天信息创新研究院、深圳市速腾聚创科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司、安徽奥飞声学科技有限公司、航天长征火箭技术有限公司、天津新智感知科技有限公司、华东电子工程研究所（中国电子科技集团公司第三十八研究所）、山东中科思尔科技有限公司、苏州和林微纳科技股份有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司
起草人员：王永胜、曹诗亮、尚克军、李根梓、刘韧、汤一、毛志平、孙立宁、王志广、陈德勇、杨旸、要彦清、张鲁宇、鲁毓岚、张新伟、安志武、郑冬琛、路文一、陈得民、张红旗、商艳龙、李帆雅、钱晓晨、高峰
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文件格式：PDF
文件页数：12页
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发表于 2025-2-10 23:30:47