本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。
本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。
标准编号：GB/T 44558-2024
标准名称：III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法
英文名称：Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2024-09-29
实施日期：2025-04-01
标准状态：现行/即将实施
起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司
起草人员：曾雄辉、董晓鸣、苏旭军、牛牧童、王建峰、徐科、王晓丹、徐军、郭延军、陈家凡、王新强、颜建锋、敖松泉、唐明华、闫宝华、李艳明
文件大小：5.65MB
文件格式：PDF
文件页数：15页
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发表于 2025-2-10 23:41:46