本标准规定了用二次离子质谱法（SIMS）对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。
标准编号：SJ/T 11498-2015
标准名称：重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
英文名称：Test method for measuring oxygen contamination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
标准状态：现行
文件格式：PDF
文件页数：7页
文件大小：1.65MB
标准全文下载：
SJT 11498-2015.pdf
(1.65 MB)
文档首页截图如下：
 |
声明：
1、内容来自用户上传，仅供会员交流学习，禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除；
2、如涉及侵权问题，请立即告知本站(qbw86@foxmail.com)，本站将及时删除并致以最深的歉意；
发表于 2021-10-4 20:40:22