GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

显示全部楼层 · 发表于 2022-1-12 06:46:32

本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。
本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。

标准编号：GB/T 37051-2018
标准名称：太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
英文名称：Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
发布部门：国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期：2018-12-28
实施日期：2019-04-01
标准状态：现行
起草单位：英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司
起草人员：李锋、李英叶、段青春、张伟、吴翠姑、冯亚彬、裴会川、程小娟、唐骏
文件大小：1.00MB
文件格式：PDF
文件页数：9页

标准全文下载：

GBT 37051-2018.pdf (1 MB)

封面截图如下：

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GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

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