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GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

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童生

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国家标准(GB) 119 0 2022-2-4 12:13:28
本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试,测试范围为0 cm-2~100 000 cm-2。

标准编号:GB/T 8760-2020
标准名称:砷化镓单晶位错密度的测试方法
英文名称:Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
发布部门:国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:2020-09-29
实施日期:2021-08-01
替代情况:替代GB/T 8760-2006
起草单位:有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司
起草人员:赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤、姚康、许所成、许兴、马英俊、王彤涵、赵素晓、韦圣林、陈晶晶、付萍
文件大小:2.06MB
文件格式:PDF
文件页数:8页

标准全文下载:
上传的附件: GBT 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法.pdf (2.06 MB, 下载次数: 0)


封面截图如下:
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