本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。
本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。
标准编号：GB/T 41033-2021
标准名称：CMOS集成电路抗辐射加固设计要求
英文名称：Design requirements of radiation hardening for CMOS IC
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2021-12-31
实施日期：2022-07-01
起草单位：中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所
起草人员：刘智、葛梅、谢成民、王斌、于洪波、岳红菊、姚思远、李海松、耿增建、胡巧玉
文件格式：PDF
文件页数：18页
文件大小：1.64MB
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