本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
标准编号：GB/T 41325-2022
标准名称：集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
英文名称：Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2022-03-09
实施日期：2022-10-01
文件格式：PDF
文件页数：9页
文件大小：510.08KB
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