SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法

显示全部楼层 · 发表于 2021-10-4 00:20:30

本标准规定了低位错密度砷化镓（GaAs）抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。
标准编号：SJ/T 11490-2015
标准名称：低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
英文名称：Test method for measuring etch pit density(EPD)in low dislocation density gallium arsenide wafers
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
标准状态：现行
文件格式：PDF
文件页数：8页
文件大小：3.12MB

标准全文下载：

SJT 11490-2015.pdf (3.12 MB)

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SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法

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