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SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

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童生

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电子行业标准(SJ) 307 0 2021-10-4 23:12:51
本标准规定了利用范德堡法测试6H、4H等晶型碳化硅单晶的导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的方法。
标准编号:SJ/T 11499-2015
标准名称:碳化硅单晶电学性能的测试方法
英文名称:Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:2015-04-30
实施日期:2015-10-01
文件格式:PDF
文件页数:10页
文件大小:1.90MB

标准全文下载:
上传的附件: SJT 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法.pdf (1.9 MB, 下载次数: 0)


文档首页截图如下:
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