发帖
 找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
0 0
首页电子行业标准(SJ)SJ 21478-2018 磷化铟单晶生长工艺技术要求 ...

SJ 21478-2018 磷化铟单晶生长工艺技术要求

ross780706
童生

19

主题

0

回帖

86

积分

童生

积分
86
电子行业标准(SJ) 299 0 2022-1-29 05:39:33
本标准规定了军用磷化锢单晶生长工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求,以及磷化锢单晶生长工艺的典型工艺流程、各工序技术要求、检验要求等详细要求。
本标准适用于液封直拉法(LEC)和垂直梯度凝固法(VGF磷化锢单晶生长工艺。
标准编号:SJ 21478-2018
标准名称:磷化铟单晶生长工艺技术要求
英文名称:Technical requirements for InP single crystal growth process
发布部门:国家国防科技工业局
发布日期:2018-12-29
实施日期:2019-03-01
文件格式:PDF
文件页数:12页
文件大小:3.23MB

标准全文下载:
上传的附件: SJ 21478-2018 磷化铟单晶生长工艺技术要求.pdf (3.23 MB, 下载次数: 0)


文档首页截图如下:
声明:
1、内容来自用户上传,仅供会员交流学习,禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除;
2、如涉及侵权问题,请立即告知本站(std_123@foxmail.com),本站将及时删除并致以最深的歉意;

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 立即登录
高级模式
返回