本标准规定了高纯铟的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容等。
本标准适用于以工业粗铟为原料,经原料处理及电解精炼等工艺制得的高纯铟。产品供制作化合物半导体、高纯合金、高级轴承及半导体材料的掺杂剂等。
标准编号:YS/T 264-2012
标准名称:高纯铟
英文名称:High purity indium
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:2012-11-07
实施日期:2013-03-01
替代情况:替代YS/T 264-1994
起草单位:南京中锗科技股份有限公司
文件大小:209.24KB
文件格式:PDF
文件页数:5页
标准全文下载:
封面截图如下:
 |
声明:
1、内容来自用户上传,仅供会员交流学习,禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除;
2、如涉及侵权问题,请立即告知本站(std_123@foxmail.com),本站将及时删除并致以最深的歉意;