YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法

显示全部楼层 · 发表于 2021-9-12 03:34:24

本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。
本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜，满足一定条件时,方可采用

标准编号：YS/T 839-2012
标准名称：硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
英文名称：Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2012-11-07
实施日期：2013-03-01
标准状态：现行
起草单位：中国计量科学研究院、有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司
文件大小：1.38MB
文件格式：PDF
文件页数：10页

标准全文下载：

YST 839-2012.pdf (1.38 MB)

封面截图如下：

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