本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。
本标准适用于在、和晶向的硅单晶衬底上生长的2μm～120μm硅外延层厚度的测量。
标准编号：YS/T 23-2016
标准名称：硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
英文名称：Test method for thickness of epitaxial layers-Stacking fault size
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2016-04-05
实施日期：2016-09-01
替代情况：替代YS/T 23-1992
起草单位：南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司
起草人员：马林宝、杨帆、葛华、刘小青、孙燕、徐新华
文件大小：251.41KB
文件格式：PDF
文件页数：7页
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