本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。
标准编号：YS/T 1167-2016
标准名称：硅单晶腐蚀片
英文名称：Monocrystalline silicon etched wafers
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2016-07-11
实施日期：2017-01-01
起草单位：天津市环欧半导体材料技术有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、有研半导体材料有限公司、杭州海纳半导体有限公司
起草人员：由佰玲、张雪囡、蒋建国、孙燕、王飞尧、沈浩平
文件大小：2.71MB
文件格式：PDF
文件页数：10页
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