本标准规定了硅片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。
本标准适用于检验倒角硅片的边缘轮廓（包含切口），砷化镓等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。
标准编号：YS/T 26-2016
标准名称：硅片边缘轮廓检验方法
英文名称：Test methods for edge contour of silicon wafers
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2016-07-11
实施日期：2017-01-01
替代情况：替代YS/T 26-1992
起草单位：洛阳单晶硅集团有限责任公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞乱科技股份有限公司
起草人员：田素霞、李战国、苗利刚、焦二强、安瑞阳、邵成波、王文卫
文件大小：282.16KB
文件格式：PDF
文件页数：9页
标准全文下载：
封面截图如下：
 |
声明：
1、内容来自用户上传，仅供会员交流学习，禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除；
2、如涉及侵权问题，请立即告知本站(std_123@foxmail.com)，本站将及时删除并致以最深的歉意；
