本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅-硅共熔键合、硅-玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
标准编号：GB/T 41853-2022
标准名称：半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量
英文名称：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2022-10-12
实施日期：2022-10-12
起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、河北美泰电子科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、华东光电集成器件研究所、杭州左蓝微电子技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
起草人员：李倩、王伟强、顾枫、李根梓、翟晓飞、何凯旋、田松杰、刘建生、崔波、武斌、汪蔚、高峰、王冲
文件大小：3.05MB
文件格式：PDF
文件页数：21页
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