GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法

显示全部楼层 · 发表于 2022-11-23 18:22:33

本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向〈112-0〉方向0°～8°的碳化硅单晶位错密度的测试。

标准编号：GB/T 41765-2022
标准名称：碳化硅单晶位错密度的测试方法
英文名称：Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
发布部门：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布日期：2022-10-12
实施日期：2023-05-01
标准状态：现行
起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
起草人员：彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、王波、郭钰、杨建、李素青
文件大小：1.29MB
文件格式：PDF
文件页数：11页

标准全文下载：

GBT 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法.pdf (1.29 MB)

封面截图如下：

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