本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
标准编号：GB/T 42902-2023
标准名称：碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
英文名称：Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2023-08-06
实施日期：2024-03-01
标准状态：现行
起草单位：安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所
起草人员：钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果
文件大小：3.26MB
文件格式：PDF
文件页数：12页
标准全文下载：
GBT 42902-2023.pdf
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封面截图如下：
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发表于 2023-8-22 17:53:16