本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。
标准编号：GB/T 42905-2023
标准名称：碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
英文名称：Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2023-08-06
实施日期：2024-03-01
起草单位：安徽长飞先进半导体有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、布鲁克(北京)科技有限公司、中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司
起草人员：钮应喜、刘敏、袁松、赵丽霞、丁雄杰、吴会旺、仇光寅、李素青、李京波、张会娟、赵跃、彭铁坤、雷浩东、闫果果
文件大小：1.36MB
文件格式：PDF
文件页数：7页
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