GB/T 43493.1-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类

显示全部楼层 · 发表于 2024-3-20 23:09:44

本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

标准编号：GB/T 43493.1-2023
标准名称：半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类
英文名称：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1:Classification of defects
发布部门：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
标准状态：现行/即将实施
起草单位：河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、山东天岳先进科技股份有限公司、之江实验室、浙江大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体(天津)有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、深圳市晶扬电子有限公司、广州弘高科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、中微半导体(上海)有限公司
起草人员：房玉龙、芦伟立、李佳、张冉冉、张红岩、王健、李丽霞、殷源、李振廷、张建峰、徐晨、杨青、刘立娜、钮应喜、金向军、丁雄杰、刘薇、杨玉聪、魏汝省、吴会旺、姚玉、高东兴、王辉、陆敏、夏俊杰、周少丰、郭世平
文件大小：12.46MB
文件格式：PDF
文件页数：22页

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GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类

GB/T 43493.1-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类