本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。
标准编号：GB/T 43493.3-2023
标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
英文名称：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3:Test method for defects using photoluminescence
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
标准状态：现行/即将实施
起草单位：河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、广东天域半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、厦门特仪科技有限公司
起草人员：芦伟立、房玉龙、李佳、殷源、丁雄杰、张冉冉、王健、李丽霞、张建峰、李振廷、徐晨、杨青、刘立娜、杨世兴、马康夫、钮应喜、金向军、尹志鹏、刘薇、陆敏、周少丰、林志阳
文件大小：4.95MB
文件格式：PDF
文件页数：22页
标准全文下载：
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封面截图如下：
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发表于 2024-3-20 23:10:21