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YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法

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发表于 2024-6-3 16:01:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文件规定了碳化硅单晶中杂质元素含量的辉光放电质谱测定方法。
本文件适用于碳化硅单晶中杂质元素含量的测定。

标准编号:YS/T 1600-2023
标准名称:碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
英文名称:Determination of trace impurity elements in silicon carbide single crystal-Glow discharge mass spectrometry
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:2023-04-21
实施日期:2023-11-01
标准状态:现行
起草单位:国合通用测试评价认证股份公司、国标(北京)检验认证有限公司、南京国盛电子有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、广东先导稀材股份有限公司、河北同光晶体有限公司、北京清质分析技术有限公司、贵研检测科技(云南)有限公司
文件大小:314.97KB
文件格式:PDF
文件页数:10页

标准全文下载:
YST 1600-2023.pdf (314.97 KB)

封面截图如下:
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