本文件规定了碳化硅单晶中杂质元素含量的辉光放电质谱测定方法。
本文件适用于碳化硅单晶中杂质元素含量的测定。
标准编号：YS/T 1600-2023
标准名称：碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
英文名称：Determination of trace impurity elements in silicon carbide single crystal-Glow discharge mass spectrometry
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2023-04-21
实施日期：2023-11-01
起草单位：国合通用测试评价认证股份公司、国标（北京）检验认证有限公司、南京国盛电子有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、广东先导稀材股份有限公司、河北同光晶体有限公司、北京清质分析技术有限公司、贵研检测科技（云南）有限公司
文件大小：314.97KB
文件格式：PDF
文件页数：10页
标准全文下载：
封面截图如下：
 |
声明：
1、内容来自用户上传，仅供会员交流学习，禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除；
2、如涉及侵权问题，请立即告知本站(std_123@foxmail.com)，本站将及时删除并致以最深的歉意；
