GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）

显示全部楼层 · 发表于 2024-7-9 19:25:27

本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。
本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

标准编号：GB/T 43894.1-2024
标准名称：半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）
英文名称：Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）
发布部门：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布日期：2024-04-25
实施日期：2024-11-01
标准状态：现行/即将实施
起草单位：山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技（集团）股份有限公司
起草人员：王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、郭正江
文件大小：779.60KB
文件格式：PDF
文件页数：8页

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GBT 43894.1-2024.pdf (779.6 KB)

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GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）

GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）