GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定全反射X射线荧光光谱法

显示全部楼层 · 发表于 2025-2-10 12:04:53

本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5 nm以内金属元素的全反射X射线荧光光谱（TXRF）测试方法。
本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅（SOI）、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片或外延片表面金属沾污的测定，尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围：109 atoms/cm2～1 015 atoms/cm2。
本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16（S）～92（U）的元素，尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅等金属元素。

标准编号：GB/T 24578-2024
标准名称：半导体晶片表面金属沾污的测定全反射X射线荧光光谱法
英文名称：Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers —Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
发布部门：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布日期：2024-07-24
实施日期：2025-02-01
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 24578-2015,GB/T 34504-2017
起草单位：有研半导体硅材料股份公司、天通银厦新材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、深圳牧野微电子技术有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广东天域半导体股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公司、江苏芯梦半导体设备有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、深圳市深鸿盛电子有限公司、深圳市晶导电子有限公司、湖南德智新材料有限公司
起草人员：宁永铎、孙燕、贺东江、李素青、朱晓彤、康森、靳慧洁、孙韫哲、潘金平、任殿胜、张海英、何凌、丁雄杰、刘薇、沈演凤、廖周芳、赵丽丽、张西刚、赖辉朋、廖家豪
文件大小：741.91KB
文件格式：PDF
文件页数：19页

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