T/ACCEM 515-2025 高性能高密度沟槽栅IGBT器件

显示全部楼层 · 发表于 2025-4-1 18:17:54

本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验。

标准编号：T/ACCEM 515-2025
标准名称：高性能高密度沟槽栅IGBT器件
发布部门：中国商业企业管理协会
发布日期：2025-03-20
实施日期：2025-04-18
标准状态：现行/即将实施
起草单位：青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司
起草人员：王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫
文件大小：339.48KB
文件格式：PDF
文件页数：7页

标准全文下载：

TACCEM 515-2025 高性能高密度沟槽栅IGBT器件.pdf (339.48 KB)

封面截图如下：

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

T/ACCEM 515-2025 高性能高密度沟槽栅IGBT器件

相关帖子

浏览过的版块