GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

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本文件描述了非本征半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量方法。
本文件适用于硅、锗、砷化镓、磷化镓、磷化铟、锑化镓、锑化铟、硫化镉、氧化镓、碳化硅、氮化镓单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量,也适用于电阻率小于108 Ω·cm 的其他半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量。

标准编号：GB/T 4326-2025
标准名称：非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
英文名称：Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
发布部门：国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布日期：2025-10-31
实施日期：2026-05-01
替代情况：替代GB/T 4326-2006
文档格式：PDF
文档页数：15页
文档大小：431.68KB

标准全文下载：

GBT 4326-2025.pdf (431.68 KB)

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GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

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