本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法。
本文件适用于电阻率为0.0006Ω·cm~0.025Ω·cm 的衬底上制备的厚度大于0.5μm 的硅外延层厚度的测试。
标准编号：GB/T 14847-2025
标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
英文名称：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2025-10-31
实施日期：2026-05-01
替代情况：替代GB/T 14847-2010
文档格式：PDF
文档页数：11页
文档大小：510.92KB
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