本文件描述了用边缘卷曲法(ROA)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。
本文件适用于直径300mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片)及其他带有表面层的圆形晶片,也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。注:直径200mm 硅片参考本文件。
标准编号：GB/T 43894.2-2026
标准名称：半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）
英文名称：Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 2: Roll-off amount（ROA）
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2026-01-28
实施日期：2026-08-01
起草单位：山东有研半导体材料有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、金瑞泓微电子（衢州）有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司
起草人员：宁永铎、朱晓彤、于亚迪、王玥、张婉婉、张雪囡、刘云霞、徐国科、吕莹、徐新华、丁雄杰、马砚忠、陆占清
文件格式：PDF
文件页数：12页
文件大小：704.49 KB
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