本文件描述了碳化硅(SiC)单晶抛光片堆垛层错的光致发光测试方法。
本文件适用于4H 碳化硅(4H-SiC)单晶抛光片堆垛层错的测试。
标准编号：GB/T 47082-2026
标准名称：碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法
英文名称：Test method for stacking faults of polished monocrystalline silicon carbide wafers
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2026-01-28
实施日期：2026-08-01
起草单位：山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京百识电子科技有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、西安龙威半导体有限公司、浙江晶越半导体有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中电化合物半导体有限公司、宁夏创盛新材料科技有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、厦门华芯晶圆半导体有限公司
起草人员：张红岩、陈延昌、付健行、杨世兴、宋生、丁雄杰、薛宏伟、胡智威、韩旭、刘红超、马林宝、欧阳鹏根、高冰、佘宗静、潘尧波、胡惠娜、刘小平、陈基生
文件格式：PDF
文件页数：8页
文件大小：313.47 KB
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