本文件描述了忆阻器在连续施加电脉冲进行长时程增强或长时程抑制操作时,电导变化的线性度的测试方法。
本文件适用于两端型双极性忆阻器线性度的测试。
标准编号：GB/T 46567.2-2026
标准名称：智能计算 忆阻器测试方法 第2部分：线性度
英文名称：Intelligent computing—Test method for memristor—Part 2：Linearity
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2026-04-30
实施日期：2026-11-01
起草单位：中国科学院微电子研究所、之江实验室、浙江大学、国防科技大学、河北大学、东北师范大学、复旦大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、杭州国磊半导体设备有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司、中国信息通信研究院、中移（杭州）信息技术有限公司、浪潮电子信息产业股份有限公司、天翼云科技有限公司、中移（苏州）软件技术有限公司、中国计量大学、深圳陆兮科技有限公司、深圳市九天睿芯科技有限公司、北京云之印科技有限公司
起草人员：王忠新、许晓欣、孙文绚、时拓、马小雯、陈鹏、王中强、王明、闫小兵、李清江、钟鑫、刘山佳、顾海林、董红梁、黄唯静、张九六、周兰、蒙贵云、张丽静、徐海阳、李莹、刘琦、王义楠、杨彪、张乾、王斌强、张明明、滕耘、杨明、冯杰、刘海连、周芃、刘洪杰
文件格式：PDF
文件页数：15页
文件大小：479.49 KB
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