本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。
本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的衬底。
标准编号：T/NXCL 30-2024
标准名称：300 mm低氧含量直拉硅单晶
英文名称：300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon
发布部门：宁夏材料研究学会
发布日期：2024-02-06
实施日期：2024-02-06
起草单位：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司
起草人员：芮阳、商润龙、王黎光、杨少林、陈亚、赵泽慧、白圆、马成、曹启刚、王忠保、熊欢、李聪、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺
文件大小：314.43KB
文件格式：PDF
文件页数：6页
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