T/CASAS 046-2024 SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法

发表于 2024-12-4 11:31:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态反偏(DRB)试验方法，用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。
本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。

标准编号：T/CASAS 046-2024
标准名称：SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
标准状态：现行
文件大小：493.08KB
文件格式：PDF
文件页数：14页

标准全文下载：

TCASAS 046-2024.pdf (493.08 KB)

封面截图如下：

T_CASAS

免责声明 1、本站所有资源均来自会员分享或网络收集整理,仅供会员交流学习，禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除；
2、如本帖侵犯到任何版权问题，请立即告知本站(std_123@foxmail.com)，本站将及时删除并致以最深的歉意；

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

T/CASAS 046-2024 SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法

相关帖子