本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态反偏(DRB)试验方法，用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。
本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。
标准编号：T/CASAS 046-2024
标准名称：SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
文件大小：493.08KB
文件格式：PDF
文件页数：14页
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