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T/CASAS 047-2024 SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3RB)试验方法

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发表于 2024-12-4 11:32:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法，用于评估高温高湿高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。
本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。

标准编号：T/CASAS 047-2024
标准名称：SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3RB)试验方法
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
标准状态：现行
文件大小：541.23KB
文件格式：PDF
文件页数：14页

标准全文下载：
TCASAS 047-2024.pdf (541.23 KB)

封面截图如下：
T_CASAS
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