本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。
本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等。
标准编号：T/CIET 1279-2025
标准名称：碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT）
发布部门：中国国际经济技术合作促进会
发布日期：2025-05-14
实施日期：2025-05-14
标准状态：现行
起草单位：眉山博雅新材料股份有限公司、苏州清橙半导体科技有限公司、山西烁科晶体有限公司、江苏超芯星半导体有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司
起草人员：王宇、陈鹏飞、侯晓蕊、袁振洲、袁丽、雷沛、顾鹏、刘西洋、陈颖超、刘岩、吴永利、汪贤峰、冀云、徐敬铭、包瑾、祝焕新
文件大小：640.41KB
文件格式：PDF
文件页数：12页
标准全文下载：
TCIET 1279-2025.pdf
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发表于 2025-5-29 00:18:20