本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法。
本文件适用于N沟道SiC MOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。
标准编号：T/CASAS 021-2024
标准名称：SiC MOSFET阈值电压测试方法
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
文件大小：499.20KB
文件格式：PDF
文件页数：17页
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