本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温栅偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。
本文件适用范围:SiC MOSFET分立功率器件,功率模块。
标准编号：T/CASAS 042-2025
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 高温栅偏试验方法
英文名称：High temperature gate bias test method for silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
起草单位：忱芯科技(上海)公司、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江大学、广电计量检测集团股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、一汽旗新动力(长春)科技有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、东风汽车集团有限公司、怀柔实验室、深圳平湖实验室、湖北九峰山实验室、浙江大学绍兴研究院、西安交通大学、中国电力科学研究院有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、上海维安电子股份有限公司、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、合肥功立德半导体科技有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人员：毛赛君、杨书豪、王培飞、陈媛、罗涛、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、张诗梦、李双媛、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、夏云、周紫薇、杨安丽、吴畅、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、孙钦华、胡惠娜、郭俊、乔良、李本亮、高伟
文件格式：PDF
文件页数：15页
文件大小：581.46 KB
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