本文件描述了用于硬开关切换电路的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法,包括原理、测试条件、测试程序、数据记录和处理、试验报告等。
本文件适用于进行GaN HEMT 的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件: a) GaN 增强型和耗尽型分立电力电子器件; b) GaN 集成功率电路; c) 以上的晶圆级及封装级产品。
标准编号：T/CASAS 005-2025
标准名称：氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法 多脉冲硬开关法
英文名称：Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor(HEMT):multi-pulse hard-switching technique
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
起草单位：广东工业大学、工业和信息化部电子第五研究所、江苏第三代半导体研究院有限公司、佛山市联动科技股份有限公司、英诺赛科(珠海)科技有限公司、珠海镓未来科技有限公司、华为技术有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、东南大学、浙江大学、大连理工大学、西安电子科技大学、西交利物浦大学、江南大学、北京大学、西安交通大学、深圳平湖实验室、江苏能华微电子科技发展有限公司、北京大学东莞光电研究院、佛山市国星光电股份有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人员：贺致远、何亮、王成财、田飞飞、吴金刚、吴毅锋、李胜、银杉、吴新科、董泽政、施宜军、陈媛、路国光、陈兴欢、刘远、周泉斌、刘惠鹏、刘斯扬、李凯、陈希辰、刘庆源、黄火林、李祥东、刘雯、闫大为、王茂俊、王来利、王小明、朱廷刚、王琦、曾威、李瑞莲、袁海龙、张旭、高伟
文件格式：PDF
文件页数：13页
文件大小：569.79 KB
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