本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。
本文件适用范围:SiC MOSFET分立功率器件,功率模块。
标准编号：T/CASAS 044-2025
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高压高温高湿反偏试验方法
英文名称：High voltage high temperature high humidity reverse bias test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
起草单位：毛赛君、杨书豪、王培飞、陈媛、罗涛、陆月明、刘红超、王珩宇、李汝冠、谢峰、祝遵祥、陈志玉、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、周紫薇、段元淼、肖科、吴畅、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、孙钦华、胡惠娜、郭俊、乔良、李本亮、高伟
起草人员：毛赛君、杨书豪、王培飞、陈媛、罗涛、陆月明、刘红超、王珩宇、李汝冠、谢峰、祝遵祥、陈志玉、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、周紫薇、段元淼、肖科、吴畅、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、孙钦华、胡惠娜、郭俊、乔良、李本亮、高伟
文件格式：PDF
文件页数：15页
文件大小：607.81 KB
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