本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的动态反偏(DRB)试验方法。
本文件适用于SiC MOSFET分立器件和功率模块评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化评价。
标准编号：T/CASAS 046-2025
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法
英文名称：Dynamic reverse bias (DRB) test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistor (SiC MOSFET)
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技(上海)有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、深圳平湖实验室、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、中国电力科学研究院有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、西安交通大学、合肥功立德半导体科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人员：陈媛、何亮、施宜军、毛赛君、陈兴欢、路国光、来萍、赵鹏、王宏跃、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、朱贤龙、王民、胡浩林、曾威、袁俊、谢峰、杨霏、刘昌、朱占山、暴杰、李汝冠、孙钦华、王来利、张彤宇、池源、王铁羊、刘陆川、赵高锋、胡惠娜、郭俊、李本亮、高伟
文件格式：PDF
文件页数：13页
文件大小：554.24 KB
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