本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的栅极电荷测试方法，包括：测试原理、测试电路、测试条件以及数据处理方法。
本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景，可用于以下测试目标器件：
a） 增强型N沟道垂直SiC MOSFET分立器件晶圆级及封装级产品；
b） 含增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件的功率模块。
标准编号：T/CASAS 037-2024
标准名称：SiC MOSFET栅极电荷测试方法
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
文件大小：524.22KB
文件格式：PDF
文件页数：17页
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