本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。
本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。
标准编号：T/CASAS 042-2024
标准名称：SiC MOSFET高温栅偏试验方法
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
文件大小：499.57KB
文件格式：PDF
文件页数：15页
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