本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）动态栅偏试验方法，包括：试验条件、测试方法、应用范围以及失效判据。
本文件适用于对SiC MOSFET栅氧质量的评估，主要包括芯片、分立器件、模块。
标准编号：T/CASAS 045-2024
标准名称：SiC MOSFET动态栅偏试验方法
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
文件大小：516.76KB
文件格式：PDF
文件页数：14页
标准全文下载：
封面截图如下：
 |
声明：
1、内容来自用户上传，仅供会员交流学习，禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除；
2、如涉及侵权问题，请立即告知本站(std_123@foxmail.com)，本站将及时删除并致以最深的歉意；
